800nmAPD איין רער סעריע
| פאָטאָעלעקטריק קעראַקטעריסטיקס (＠Ta＝22±3℃) | |||||
| מאָדעל | GD5210Y-1-2-T046 | GD5210Y-1-5-T046 | GD5210Y-1-2-LCC3 | GD5210Y-1-5 -LCC3 | |
| פּעקל פאָרעם | TO-46 | TO-46 | LCC3 | LCC3 | |
| פאָטאָסענסיטיווע ייבערפלאַך דיאַמעטער (מם) | 0.23 | 0.50 | 0.23 | 0.50 | |
| ספּעקטראַל ענטפער קייט (נם) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | |
| שפּיץ ענטפער ווייוולענגט (נם) | 800 | 800 | 800 | 800 | |
| λ=800נם Φ=1μוו M=100(א/וו) | 55 | 55 | 55 | 55 | |
| טונקל קראַנט | טיפּיש | 0.05 | 0.10 | 0.05 | 0.10 |
| M=100(נאַ) | מאַקסימום | 0.2 | 0.4 | 0.2 | 0.4 |
| ענטפער צייט λ=800nm R1=50Ω(ns) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | |
| ארבעטן וואָולטידזש טעמפּעראַטור קאָואַפישאַנט ט = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃) | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | |
| גאַנץ קאַפּאַסאַטאַנס M=100 f=1MHz(pF) | 1.5 | 3.0 | 1.5 | 3.0 | |
| ברייקדאַון וואָולטידזש IR=10μA (V) | מינימום | 80 | 80 | 80 | 80 |
| מאַקסימום | 160 | 160 | 160 | 160 | |
פראָנט פלאַך טשיפּ סטרוקטור
הויך גיכקייַט ענטפער
הויך געווינען
נידעריק קנופּ קאַפּאַסאַטאַנס
נידעריק ראַש
לאַזער ריינדזשינג
לידאַר
לייזער ווארענונג
